Samsung apre la strada alla nuova generazione di memorie DRAM LPDDR5 da 12 GB: al via la produzione industriale
Samsung è uno dei produttori tecnologici che agisce in diversi ambiti, oltre a quello degli smartphone e dei dispositivi mobili in generale l'azienda è attiva anche nella produzione di processori e memorie per queste categorie di device.
In quest'ottica il produttore sudcoreano ha avviato la produzione di massa delle nuove memorie di tipo DRAM LPDDR5 da 12 GB, le quali sono particolarmente ottimizzate per le applicazioni 5G e di intelligenza artificiale. Le nuove memorie DRAM di Samsung offrono una velocità di trasferimento dati equivalente a 5.500 megabit al secondo, ovvero 1,3 volte maggiore a quella delle memorie LPDDR4X della generazione precedente, e dunque in grado di trasferire i dati relativi a 12 film in full HD in appena un secondo.
Grazie all'integrazione di un nuovo circuito integrato le nuove memorie LPDDR5 di Samsung offriranno anche una maggiore efficienza energetica, consumando il 30% in meno rispetto alla generazione precedente. Di seguito riportiamo una tabella riassuntiva dei progressi raggiunti da Samsung negli ultimi 10 anni nella produzione di memorie DRAM:
Data | Capacità | Mobile DRAM |
Luglio 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
Giugno 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
Febbraio 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Aprile 2018 | 8GB (development) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
Settembre 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Agosto 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
Dicembre 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
Settembre 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Novembre 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Luglio 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Aprile 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Agosto 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |