È iniziata la produzione di massa delle nuove RAM Samusng da 8GB a 10nm

Samsung Electronics ha annunciato il via alla produzione di massa delle nuove DRAM LPDDR4X di seconda generazione, realizzate con processo costruttivo a 10 nm: i primi blocchi di produzione si concentreranno su moduli da 8GB.

Rispetto al passato, i punti di forza di questi nuovi blocchi di RAM sono soprattutto due, ossia il risparmio energetico e le dimensioni ridotte. Infatti, comparati agli attuali chip in uso sui dispositivi in commercio, questi nuovi moduli garantiranno un risparmio energetico del 10%, pur mantenendo la velocità di trasferimento a 4,266 Mb/s.

Inoltre, lo spessore del chip è stato ridotto di oltre il 20% rispetto alla prima generaizone, il che permetterà ai produttori di includere le RAM in questione in dispositivi ancora più sottili.