Samsung progetta di realizzare processori a 3 nm entro il 2022

La produzione di processori dedicati ai dispositivi mobili negli ultimi anni sta raggiungendo livelli d'eccellenza, con tecnologie spesso più all'avanguardia di quelle adottate sulle soluzioni per PC. Uno dei protagonisti di questo balzo tecnologico è Samsung, che vuole continuare a spingere sull'acceleratore dell'innovazione portando sempre più al limite le soluzioni tecniche per quanto riguarda i processi produttivi dei SoC.

Durante il Foundry Forum, annuale conferenza dei produttori che si tiene negli Stati Uniti, il gigante coreano ha rivelato la sua roadmap per i prossimi anni, facendo capire quali saranno le nuove possibilità e le sfide da portare a compimento per l'intero settore.

Nella seconda parte di quest'anno partirà la produzione dei nuovi chip realizzati a 7 nm Low Power Plus, i primi prodotti con litografia EUV. Sarà probabilmente questo il processo produttivo utilizzato per il prossimo Qualcomm Sanpdragon 855, SoC di fascia alta che dovrebbe essere montato sulla maggior parte degli smartphone top di gamma del 2019, comprese alcune varianti di Galaxy S10.

Successivamente arriveranno anche i processi a 5 nm Low Power Early (2019) e 4 nm Low Power Early/Plus (2020), e questo sarà l'ultimo processo produttivo basato sulla nota tecnologia FinFET.

Per il passo successivo, vale a dire il nuovo processo a 3 nm Gate-All-Around Early/Plus, sarà necessario utilizzare l'architettura MBCFET (multi-bridge-channel FET). In questo caso stiamo parlando di soluzioni ancora in progettazione, le quali potrebbero ridurre drasticamente le dimensioni dei chip ed aumentare efficienza energetica e prestazioni.

Il processo produttivo a 3 nm dovrebbe essere pronto per il 2022, dunque avremo tutto il tempo per approfondire la sua conoscenza nei prossimi mesi ed anni.