Samsung annuncia le sue nuove S-RAM (alla faccia di Intel e TSMC)

Samsung ha appena annunciato di aver realizzato un nuovo modello di S-RAM utilizzando per la prima volta un processo costruttivo a 10nm FinFET e battendo sul tempo sia Intel che TSMC (fermi rispettivamente a 14nm e 16nm).

Questo nuovo componente ha un transfer rate di 128 Mb e può quindi vantare di essere molto più veloce della controparte D-RAM. Inoltre, grazie al nuovo processo costruttivo, la superficie di questa S-RAM è del 37,5% inferiore rispetto a quella realizzata a 14nm.

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Questi moduli S-RAM entreranno nella fase di produzione di massa agli inizi del 2017 e, per allora, vedremo quale sarà la risposta di Intel e TSMC, principali concorrenti di Samsung.