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Con WALDIO avremo memorie flash fino a 20 volte più veloci

Giuseppe Tripodi -

Le performance di lettura e scrittura delle memorie flash dei nostri smartphone non sono sempre molto efficienti e, col tempo, queste componenti tendono a deteriorarsi e diventare più lente, a causa dei continui cicli di scrittura (l’immagine in alto è proprio un test di lettura/scrittura su memoria flash).

Tuttavia, un team di ricercatori coreani condotti dal professor Won You-jip ha sviluppato il cosiddetto metodo Write Ahead Logging Direct IO (WALDIO), che potrebbe rappresentare la soluzione ai nostri problemi.

Grazie a questa metodologia, le informazioni vengono registrate sulla memoria solo quando necessario e in segmenti molto più piccoli: questo porta non solo alla possibilità di ottenere gli stessi risultati indipendentemente dal costo e dalla qualità della memoria, ma può anche allungare la vita di quest’ultime del 40%.

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Inoltre, forse la caratteristica più interessante del metodo WALDIO, è che evita tutti gli inutili cicli di scrittura e cancellazione: senza queste continue interruzioni, la rapidità scrittura sulla memoria flash cresce di 14 volte, con risultati addirittura fino a 20 volte più veloci in caso di smartphone con batterie integrate. Attualmente i ricercatori stanno presentando i loro risultati nella conferenza USENIX di Santa Clara, mentre a noi non rimane che sperare che il loro progetto possa essere implementato nei prossimi dispositivi.

Via: PhoneArena