Samsung presenta una velocissima memoria flash, perfetta per Galaxy S6

Con un post sul blog ufficiale Samsung Tomorrow, l'azienda ha annunciato la sua nuova serie di memorie flash integrate. Questa tecnologia promette velocità e capienza, basandosi sullo standard UFS 2.0.

Le memorie sfruttano l'istruzione "Command Queue" per accelerare l'esecuzione dei comandi, raggiungendo così fino a 19.000 operazioni per secondo (IOPS), con velocità 2,7 volte maggiori rispetto alle attuali memorie eMMC, impiegate anche sugli smartphone top gamma.

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Sempre secondo Samsung, le UFS 2.0 offriranno performance paragonabili ad un moderno SSD, con consumi ridotti del 50% e ingombro al minimo, grazie alla possibilità di essere integrate sul chip logico. Queste nuove memorie sarebbero già in fase di produzione nei tagli da 128GB, 64GB e 32GB e saranno utilizzate soltanto sui modelli top.

Nel comunicato Samsung non fa riferimento a modelli specifici, ma la coincidenza dei tagli di memoria e i teaser che accennano alle alte performance, fanno certamente pensare che il sempre più vicino Galaxy S6 possa essere il primo candidato ad integrare questo tipo di velocissima memoria.